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Convegni ATI - Accesso riservato soci CTI

Dissipazione del calore in un amplificatore di potenza VHF

Pubblicazione


Autore: F. Cotana, G. Moncada Lo Giudice, F. Rossi

Collana: CA - 48 - Taormina 1993

Note:
I segnali elettromagnetici per trasmissioni radiotelevisive sono irradiati attraverso sistemi ai quali viene richiesto un eccezionale livello di affidabilita'. Fra i componenti di tali sistemi, un posto delicato e' occupato dagli amplificatori a radiofrequenza i quali, dal punto di vista dell'affidabilita', possono rappresentare un punto critico della catena di trasmissione. Assume, pertanto, un particolare rilievo lo studio delle modalita' di dissipazione del calore attraverso i componenti elettronici. E' noto, infatti, che il legame fra temperatura di esercizio e il tempo di vita medio di un dispositivo elettronico e' di tipo esponenziale; un decremento anche modesto di T conduce ad importanti incrementi del tempo di vita medio. Nel presente lavoro si considera un intero apparato che utilizza 8 transistors al fine di verificare se sia perseguibile un miglioramento delle condizioni di dissipazione del calore, attraverso modifiche della disposizione dei transistor. A tale scopo un programma di calcolo, basato sulla tecnica degli elementi finiti, consente di effettuare la simulazione del campo termico presente nel dispositivo. Un'indagine sperimentale effettuata con la tecnica della termovisione ha permesso, inoltre, di confrontare i risultati della simulazione con i risultati delle misure sull'apparato reale e verificare i modelli teorici. Infine, e' stata modificata la disposizione dei transistor sulla piastra allo scopo di diminuire la loro temperatura di esercizio; le simulazioni del campo termico, in tal caso, mostrano un decremento di circa 4 K della temperatura delle flangie dei transistor che equivale ad un decremento di circa 3 K della temperatura delle giunzioni [1]. Ammettendo la validita' della relazione di Arrhenuius il tempo di vita medio dei componenti per tale configurazione risulta circa il 15% superiore a quello dei transistors nella configurazione originaria.


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